本研究室の博士・修士論文を紹介します。
博士論文 †
2017年度 †
| HARY OKTAVIANTO | Smart Ultraviolet Sensor for Hydrogen Flame Detector Application based on Neuro-OEIC and FPGA |
2016年度 †
| 土山 和晃 | 窒化物半導体-シリコン異種ウエハ接合を用いた高密度光電子集積回路の基盤技術 |
2014年度 †
| 浦上 法之 | 歪補償構造を有するSi基板上III-V族希薄混晶半導体発光素子に関する研究 |
2012年度 †
| 李 昌勇 | III族窒化物半導体とSi回路を組み合わせたインテリジェントUVセンサの開発 |
2011年度 †
| Shin Sang Baie | Heterogeneous Optoelectronic Integrated Circuits Combined with Micro-LED Arrays and CMOS Drivers |
2010年度 †
| 朴 志鎬 | Effect of Doping Process on Luminescence Capability in Rare Earth Doped III-Nitride Semiconductor |
| 山根 啓輔 | Si/III-V-N/Siヘテロ構造の欠陥抑制技術に基づいた異種デバイス融合に関する研究 |
2009年度 †
| 梅野 和行 | 直接遷移型無転位量子井戸を用いたSi上発光デバイス形成に関する研究 |
2008年度 †
| 畠中 奨 | 有機金属気相成長法によるIII-V-N/Siヘテロエピタキシーと光・電子デバイスへの応用 |
2005年度 †
| 李 禹鎭 | ナノ結晶半導体太陽電池の作製と評価に関する研究 |
2004年度 †
| 徐 光鐘 | パルスレーザ堆積法で作製した酸化亜鉛(ZnO)系混晶半導体に関する研究 |
2003年度 †
| 三崎貴生 | ZnGeN2半導体の結晶成長と光学特性に関する研究 |
| 中西康夫 | III族窒化物半導体中に添加した希土類元素の発光特性に関する研究 |
修士論文 †
2018年度／2017年度／2016年度／2015年度／2014年度／2013年度／2012年度／2011年度／
2010年度／2009年度／2008年度／2007年度／2006年度／2005年度／2004年度／2003年度／2002年度／2001年度／2000年度／1999年度／1998年度
2018年度 †
若原研究室 †
| 塩田 幸輝 | GaP 結晶成長中における Ga 吸着子の表面拡散現象に関する解析 |
| 田中 俊介 | 希薄窒化物混晶の高効率n型ドーピングに向けた新規ドーパントの提案 |
| 彦坂 宗 | III-V/Si多接合太陽電池に向けた高窒素組成GaAsPNセルの開発 |
| 藤本 純弥 | 低コスト・大面積多接合太陽電池用トップセルの実現に向けたIII-V/Siエピタキシャルリフトオフ技術の開発 |
岡田研究室 †
| 中村 健人 | 絶縁ゲート型窒化物半導体トランジスタとそのモノリシック集積化に向けた素子分離技術の検討 |
| 馬場 真人 | 基底状態酸素原子を用いた化学気相堆積法によるシリコン酸化膜/窒化ガリウム構造の形成と評価 |
| 横山 太一 | 集積回路に向けた低濃度イオン注入法を用いた窒化物半導体プロセスの検討 |
関口研究室 †
| 助川 睦 | Eu添加GaNナノコラムの集合体および単一での光学特性評価 |
| 玉井 良和 | 赤色ナノレーザ実現に向けたナノコラム光共振器の設計と超微細GaNナノコラムの作製 |
| 夏目 裕貴 | 異なる窒素源でMBE成長したEu添加GaN薄膜の発光サイト解析 |
| 三輪 清允 | イオン注入技術によるGaN MOSFETの閾値電圧制御の検討とインバータ動作 |
| 安永 弘樹 | 光遺伝学応用に向けた多点刺激可能なGaN系マイクロLEDプローブの開発 |
2017年度 †
若原研究室 †
| 橘高 昴志 | GaPN混晶の高品質化に向けたN取り込み状態の検討と表面窒化成長法の提案 |
| NGUYEN THE THIEN | イオン注入技術による完全プレーナ型GaN-µLEDの研究 |
| 後藤 聖也 | GaAsPN混晶中の点欠陥低減に関する研究 |
| 高橋 賢二郎 | 多接合太陽電池に向けたＳｉ基板上GaAsPN pin接合デバイスの作製と結晶性評価 |
| 立原 佳樹 | 第一原理計算および実験を併用したIII-V-N混晶中の窒素起因点欠陥の解明 |
| 中川 翔太 | モノリシック型Si-CMOS/GaN-LED混載集積回路の開発 |
関口研究室 †
| 尾崎 耕平 | Eu添加GaNナノコラムへのMg共添加効果と規則配列化による発光特性制御に関する研究 |
| 友保 健介 | 単一光子源に向けたEu添加GaN薄膜の発光サイト評価と低Eu濃度制御に関する研究 |
| 東 幸幹 | Si基板上規則配列GaN系ナノコラムの作製と光学特性評価 |
| 松崎 良相 | キャリア閉じ込め構造導入に向けたEu添加窒化物半導体ナノコラムLEDに関する研究 |
2016年度 †
若原研究室 †
| 石田 龍太郎 | キャリアガスフリー型原子層堆積法の開発と堆積膜の評価 |
| 宇都宮 脩 | Si/SiO2/GaN/Sapphire基板へのSi-CMOS回路とGaN-LEDのモノリシッ ク集積化プロセスの開発 |
| 佐藤 健人 | III-V/Si多接合太陽電池に向けたSi格子整合系GaAsPN混晶の導電性制御とデバイ ス応用 |
| 上月 誠也 | チャネリング現象を用いた窒化物半導体へのイオン注入技術の開発とデバイスへの応用 |
| Boualiong Keree | 表面窒化法によるSi基板上希薄窒化物混晶の成長と窒素取り込み機構に関する研究 |
岡田研究室 †
| 近藤 佑隆 | 表面波プラズマ化学気相堆積法を用いた絶縁ゲート型窒化物半導体トランジスタの検討 |
関口研究室 †
| 今西 智彦 | 高濃度Eu添加GaNナノコラムを用いた波長安定型 赤色発光ダイオードに関する研究 |
| 伊達 浩平 | rf-MBE法を用いた規則配列GaN系ナノコラムにおけるInGaN量子井戸の組成制御に関する研究 |
| 立石 絋己 | MBE法により作製されたEu添加GaNの発光サイト評価と発光素子応用に関する研究 |
| 新田 遼 | チップ内光通信に向けた窒化物半導体発光素子・受光素子とポリマー導波路の一体集積プロセスの開発 |
2015年度 †
若原研究室 †
| 加藤 基弘 | 表面波プラズマによる低温成膜技術の開発 |
| 佐藤 一貴 | ポリマー基板上への多結晶シリコン薄膜の低温成膜 |
| 蛭田 恭仁 | GaN選択再成長によるプレーナ型GaN-LEDの研究 |
| 麦倉 俊 | Si基板上格子整合系多接合太陽電池に向けたGaAsPN混晶の成長 |
| 森山 真至 | アンモニア交互供給によるGaPN混晶の有機金属気相成長に関する研究 |
岡田研究室 †
| 篠原 正俊 | 窒化物半導体トランジスタに向けた表面波プラズマ化学気相堆積法によるシリコン系絶縁膜の形成 |
| 彦坂 朋輝 | 化学気相堆積法を用いた窒化物半導体 - 絶縁体界面の形成と評価 |
関口研究室 †
| 鎌田 拓歩 | Eu,Mg共添加GaNの光学的特性評価による発光サイトの解析 |
| 齋藤 洸希 | ナノシリカ粒子を用いた窒化物半導体ナノ構造の作製に関する検討 |
| 田原 浩行 | 波長安定型発光デバイス応用に向けたEu添加GaN活性層の高効率発光に関する検討 |
| 西川 聡志 | Eu添加GaNナノコラムの作製とその光学的特性に関する研究 |
2014年度 †
若原研究室 †
| Ousmane Barry 1 | AlGaN/AlN heterostructure back-illuminated Schottky Barrier Diode dor Ultravioret-C Detection |
| 石丸 貴博 | 表面波プラズマ有機金属化学気相成長法によるSi薄膜の成長反応過程の検討 |
| 大黒 智寛 | ターシャリーブチルヒドラジンを用いたGaPNの有機金属気相成長に関する研究 |
| 越智 聖 | 高感度紫外線センサ用Si信号読み出し回路の研究 |
| 河井 康宏 | GaNへのSiイオン注入技術の開発とプレーナ型発光ダイオード実現に関する研究 |
岡田研究室 †
| 川上 恭平 | AlGaN/GaN絶縁ゲートトランジスタに向けたシリコン窒化膜形成プロセスの研究 |
| 永原 亮 | 光学的・電気的特性評価によるグラフェンの電子線照射効果の検討 |
関口研究室 †
| 金本 匡祥 | Eu添加AlGaNへのMg共添加による発光サイト制御に関する研究 |
2013年度 †
若原研究室 †
| 伊藤 宏成 | Siと格子整合可能な面発光レーザ用AlGaPN系光共振器に関する研究 |
| 高田 明成 | UVイメージセンサに向けたAlGaNフォトダイオードアレイの作製 |
| 勝間田 智之 | リアルタイムテラヘルツイメージングに向けたリニアアレイ型検出器に関する研究 |
| 土山 和晃 | 大規模光電子集積回路に向けたGaN系微小LEDに関する研究 |
| 松村 亮太 | Mg共添加GaN:Euにおける発光強度増大効果に関する研究 |
岡田研究室 †
| 松岡 勝彦 | 表面窒化法によるGaPNの電気的特性向上効果の検証に関する研究 |
| 丸山 大地 | Pt/GaNショットキバリアダイオードガスセンサの高感度化の検討 |
2012年度 †
若原研究室 †
| 大谷 龍輝 | Eu,Mg 共添加GaN を活性層とする低温度依存赤色発光ダイオードに関する研究 |
| 城ノ下 拓也 | モノリシック光電子集積回路に向けたSi/GaN/Al2O3 異種材料接合技術の検討 |
| 田中 誠造 | Si/III-V-N/Si 構造を用いた光入出力機能を有する光電子集積回路に関する研究 |
| 土屋 勇気 | 大規模光電子集積回路に適合する赤外線検出器の基礎的検討 |
岡田研究室 †
| 熊澤 慶人 | 半導体デバイスへの応用を目指したグラフェン転写技術の基礎的研究 |
| 都築 龍一 | 高感度GaN系UVイメージセンサ用Si読み出し回路の研究 |
| 永本 勇矢 | 熱的に安定化した窒素表面クラスターを用いた高品質III-V-N疑似混晶半導体の成長 |
2011年度 †
若原研究室 †
| 熊谷 啓助 | 格子整合系III-V-N/Si系発光デバイスに向けたAlGaPN混晶の電気的特性に関する研究 |
| 深見 太志 | シリコンフォトニクス用発光素子活性層の高品質化に関する研究 |
岡田研究室 †
| 近藤 正樹 | Eu 添加GaN 系ヘテロ構造を用いた三端子型発光デバイスの作製条件の検討 |
| 飯島 光一郎 | GaN系発光ダイオードの高密度化と異種材料接合技術による光電子集積回路の検討 |
2010年度 †
若原研究室 †
| 浦上 法之 | Si上半導体レーザに向けた歪制御材料に関する研究 |
| 河合 剛 | 格子整合系III-V-N/Si光デバイスに向けたAlGaPN混晶の成長と光閉じ込め構造に関する研究 |
| 諏訪 尊信 | Eu添加GaNのサイト選択エピタキシーとデバイス応用に関する研究 |
| 出口 裕輝 | 基板貼り合わせ構造を用いたワンチップ光電子集積回路に関する研究 |
| 橋元 芳昇 | AlGaN系フォトダイオードを用いた高感度UVセンシングチップに関する研究 |
岡田研究室 †
| 河上 貴仁 | Si基板上多接合太陽電池に向けたGaPN光起電力素子に関する研究 |
2009年度 †
若原研究室 †
| 杉本 和謙 | 希土類添加III 族窒化物半導体の導波路型光デバイスへの応用に向けた研究 |
| 秦 貴幸 | Eu添加AlGaN/GaNを用いた三端子型発光デバイスの作製 |
| 松野 文弥 | GaN 系フォトダイオードとSi 信号処理回路の一体化に関する研究 |
| 山田 真太郎 | 格子整合系Si/III-V-N/Si ヘテロ界面における電気的特性の検討 |
| 吉田 圭吾 | Eu添加GaNを活性層とする発光素子に関する研究 |
岡田研究室 †
| 大西 智也 | 有機金属気相成長法を用いたInGaPN を活性層とする発光ダイオードに関する研究 |
| 千葉 純一 | Si 集積回路上への一体化に向けたGaN 系発光ダイオードのアレイ化に関する研究 |
| 野口 健太 | 光入出力機能を有する Si/III-V-N/Siモノリシック光・電子集積回路の作製 |
古川研究室 †
| 河田 康宏 | ITO を用いたモノリシックOEIC の裏面光取り出し構造の作製 |
| 光吉 三郎 | Si 基板上半導体レーザに向けた格子整合系III-V-N 混晶の発光特性に関する研究 |
2008年度 †
若原研究室 †
| 泉 佳太 | 光伝導度過渡応答特性を用いたGaPN の電気伝導機構に関する研究 |
| 下條 貴史 | 希土類添加AlGaN における光学利得特性の評価およびその光デバイスへの応用に関する研究 |
| 中西 快之 | 有機金属気相成長法によるSi基板上III-V-N混晶層の高品質化と発光ダイオードの開発 |
| 中村 拓也 | 培養型プレーナイオンチャネルバイオセンサーのノイズ解析 |
岡田研究室 †
| 成瀬 敦紀 | 白金触媒をショットキー電極に用いたGaN 系CO ガスセンサの製作と応答特性の評価 |
古川研究室 †
| 岩橋 智 | Si/III-V-N/Si 構造におけるSi 成長層の不純物濃度低減と光電子集積回路の基本回路作製 |
| 小林 寛史 | Si 基板上発光ダイオードの高輝度化に向けたn 型GaPN 層の高品質化 |
| 野間 亮佑 | Si 基板上低次元量子構造に向けた直接遷移型III-V-N 混晶の検討 |
2007年度 †
米津研究室 †
| 山根 啓輔 | GaP/Siへテロエピタキシーにおける界面反応抑制による欠陥密度の低減 |
若原研究室 †
| 雨宮 正樹 | 希土類添加Ⅲ族窒化物半導体二重異種接合型発光ダイオードに関する研究 |
| 伊藤 輝 | ウェハ融着法によるSi/GaN/α-Al2O3構造の実現 |
| 竹本 和正 | 希土類添加ＩＩＩ族窒化物半導体における発光機構の解明と発光素子への応用 |
| 箕原 大介 | Si/ＩＩＩ-V-N/Si構造を用いた光入出力１次元エッジ検出回路に関する研究 |
2006年度 †
米津研究室 †
| 梅野 和行 | Si/ＩＩＩ‐V‐N光電子集積回路に向けたＩＩＩ‐V‐N量子井戸構造に関する研究 |
若原研究室 †
| 及川 文武 | 希土類添加ＩＩＩ族窒化物半導体の発光デバイス応用に関する研究 |
| 河合 洋明 | 希土類添加ＩＩＩ族窒化物半導体の導波路型光デバイスへの応用に関する研究 |
| 河野 達矢 | Si/ＩＩＩ族窒化物系デバイスのモノリシック集積化に関する研究 |
| 酒井 健滋 | ＩＩＩ族窒化物上のZnGeN2エピタキシャル成長層への不純物添加に関する研究 |
| 中井 宏光 | GaP中間層の初期過程制御によるGaPN/Siの高品質化に関する研究 |
2005年度 †
若原研究室 †
| 伊藤 真也 | 有機金属気相成長法を用いたIII‐V‐N/GaP格子整合系ヘテロエピタキシーに関する研究 |
| 畠中 奨 | Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究 |
| 島田 英里 | Siに格子整合可能なⅢ‐V‐N混晶のバンド構造に関する研究 |
米津研究室 †
| 佐藤 淳 | n形およびp形GaPNの電気的特性と発光特性に関する研究 |
2004年度 †
若原研究室 †
| 今西 友晴 | Siに格子整合したInxGa1-xP1-yNyのバンド構造に関する研究 |
| 藤原 徹也 | 希土類イオンによる発光に及ぼすAlGaN混晶の効果に関する研究 |
| 重久 慶 | ZnxMg1-xGeN2薄膜の成長とその物性に関する研究 |
| 藤盛 敬雄 | γ-Al2O3/Si(111)基板上へのIII族窒化物半導体ヘテロエピタキシャル成長に関する研究 |
米津研究室 †
| 池田 毅 | 光電子融合システムに向けた微小LED構造の検討 |
| 森田 芳郎 | GaPNの電気伝導度に与えるドーパントの影響 |
| 吉川 洋一 | Si/GaPN光電子融合システムの基本デバイスに関する研究 |
2003年度 †
若原研究室 †
| 市川 哲也 | 球状Si太陽電池に関する研究 |
| 田中 亮太 | γ‐Al2O3/Si(111)基板上へのGaNへテロエピタキシャル成長に関する研究 |
| 津間 博基 | モノメチルシランを用いたAlGaNの伝導性制御に関する研究 |
| 若松 篤志 | α‐Al2O3(01-12）基板上へのβ‐FeSi2薄膜の作製と評価 |
吉田研究室 †
| 小林 貴行 | カーボンナノチューブの成長とその位置制御に関する研究 |
| 筒井 宣裕 | レーザアブレーション法によるZn1-xMgｘO薄膜の作製と評価 |
| 夏目 諭 | CuInSe2薄膜の組成制御と放射線照射損傷に関する研究 |
| 山田 啓誉 | シンクロトロン放射光によるテフロンの加工と表面特性に関する研究 |
米津研究室 †
| 古賀 真之介 | AlNを絶縁膜として用いたSiC‐MIS構造に関する研究 |
2002年度 †
吉田研究室 †
| 井上 勉 | 触媒金属の微細加工を応用したカーボンナノチューブの基板面内方向への成長に関する研究 |
| 木下 裕文 | 遷移金属を添加したZnO薄膜の作製と評価 |
| 藤田 尚樹 | CuInSe2薄膜の放射線照射損傷とアニール効果の検討 |
| 松本 鋭介 | シンクロトロン放射光によるテフロンの微細加工に関する研究 |
若原研究室 †
| 今井 恒 | 有機金属気相成長法によるAlInNの成長に関する研究 |
| 川村 延伸 | GaN系パワーデバイス用低コスト・高熱伝導基板へのGaN層形成に関する基礎研究 |
| 本川 和幸 | 希土類添加AlxGa1-xN(0≦x≦1)の発光特性に関する研究 |
米津研究室 †
| 黒木 公治 | 熱処理を施したGaPN混晶の電気的・光学的特性に関する研究 |
2001年度 †
吉田研究室 †
| Nuttawuth Buthrath | 高周波スパッタリング法によるZnO結晶薄膜形成の検討 |
| 海江田 理 | 放射線照射によるCuInSe2薄膜の損傷に関する研究 |
| 鈴木 篤 | ZnOを用いた色素増感太陽電池の作製と評価 |
若原研究室 †
| 安坂 信 | GaNのリモートプラズマ励起プロセスに関する研究 |
| 土屋 健司 | ZnGeN2の光学特性に関する研究 |
2000年度 †
吉田研究室 †
| 玄番 潤 | リモートプラズマ法によるGaN低温成長プロセスの開発 |
| 中島 基夫 | AlGaInN/GaNへテロエピタキシャル成長に関する研究 |
| 堀池正一郎 | 原料交互供給法を用いたSiC気相エピタキシャル成長に関する研究 |
| 内田 実 | シンクロトロン放射光照射によるテフロン薄膜の作製と加工に関する研究 |
若原研究室 †
| 大石浩司 | γ-Al2O3/Si基板上へのGaNエピタキシャル成長に関する研究 |
| 川村 延伸 | GaN系パワーデバイス用低コスト・高熱伝導基板へのGaN層形成に関する基礎研究 |
| 中西 康夫 | 希土類元素をイオン注入したGaNの発光特性に関する研究 |
1999年度 †
吉田研究室 †
| 佐藤 仁 | 真空紫外光を用いた銅薄膜の作製 |
| 廣江 吉倫 | ZnO薄膜の伝導型制御に関する研究 |
若原研究室 †
| 山本 武則 | 格子整合系窒化物半導体へテロ構造を目指したGaN基板の実現 |
| 呉 筱屏 | 第一原理計算に基づく多元窒化物半導体の研究 |
1998年度 †
吉田研究室 †
Last-modified: 2019-05-31 (金) 10:48:56 (1652d)
paper2014.mht
